Intel Corporation ha anunciado un importante salto cualitativo en la evolución de los transistores, los microscópicos componentes clave en toda la electrónica moderna. Por vez primera desde la invención de los transistores de silicio hace ya más de 50 años, Intel iniciará la producción en masa de transistores creados con estructuras tridimensionales. Así, la compañía introducirá un revolucionario diseño de transistores tridimensionales, llamados Tri-Gate, que la compañía ya planteó por primera vez en 2002, y los producirá en grandes volúmenes en el nodo de 22 nanómetros para una generación de chips que Intel ha bautizado con el nombre en clave de "Ivy Bridge".
Los transistores tridimensionales Tri-Gate representan una ruptura fundamental con la estructura bidimensional que durante décadas no sólo ha dado vida a todos los ordenadores, móviles y dispositivos electrónicos creados hasta la fecha, sino a todos los controles electrónicos de coches, vehículos espaciales, electrodomésticos, equipamientos médicos y, a efectos prácticos, los miles de dispositivos cotidianos.
"Los científicos e ingenieros de Intel han reinventado el transistor una vez más, y esta vez lo han hecho abriéndolos a la tercera dimensión", afirma Paul Otellini, presidente y consejero delegado de Intel. "Las posibilidades que ofrecen estos nuevos transistores contribuirán a crear dispositivos increíbles que cambiarán el mundo y nos permitirán seguir cumpliendo con la Ley de Moore adentrándonos en nuevos campos", añadió.
Desde hace años, los científicos son conscientes de las ventajas que presentarían la estructura tridimensional en los transistores de cara a seguir cumpliendo la Ley de Moore, máxime en un momento en el que las dimensiones de los dispositivos se reducen hasta tal punto que las leyes de la física se convierten en obstáculos para la innovación. La clave de la revolución a la que asistimos hoy es la capacidad de Intel de implementar su novedoso diseño de transistores tridimensionales Tri-Gate en la producción a gran escala, inaugurando con ello una nueva era para la Ley de Moore y posibilitando así la creación de una nueva generación de productos innovadores para un amplio espectro de dispositivos.
La Ley de Moore es una predicción del desarrollo de la tecnología de semiconductores de silicio que afirma que la densidad de los transistores de un chip se dobla aproximadamente cada 2 años, aumentando así su funcionalidad y prestaciones, al tiempo que se reducen los costes. Esta Ley se ha erigido en el modelo básico de negocio para el sector de los semiconductores desde hace ya más de 40 años.
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