AMD e IBM exponen los primeros resultados mediante el uso de coeficientes de inmersión y K ultrabajos en chips de 45 nm

En la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos (IEDM) de hoy, IBM (NYSE:IBM) y AMD (NYSE:AMD) han presentado la documentación que describe el uso de la litografía de inmersión, el dieléctrico k ultrabajo de interconexión y múltiples técnicas de tensión de transistores mejoradas para la implantación de la generación de microprocesadores de 45 nm. AMD e IBM esperan que los primeros productos de 45 nm que utilizan litografía de inmersión y dieléctricos k ultrabajo de interconexión estén disponibles a mediados de 2008.

La actual tecnología de procesamiento recurre a la litografía convencional, lo que implica unas limitaciones significativas en la definición de los diseños de lo microprocesadores más allá de la generación basada en la tecnología de procesamiento de 65nm. La litografía de inmersión utiliza un líquido transparente para rellenar el hueco entre la lente de proyección del sistema litográfico de copia y repetición, y la oblea que contienen cientos de microprocesadores. Este avance singular en el proceso litográfico proporciona una mayor profundidad de enfoque y mejora la fidelidad de copiado para optimizar el rendimiento de los chips y la eficiencia de producción. Esta técnica de inmersión permitirá a AMD e IBM contar con ventajas de producción sobre aquellos competidores que no sean capaces de desarrollar procesos de inmersión litográfica a escala productiva para la introducción de microprocesadores de 45nm. Como ejemplo de ello, el rendimiento de una célula SRAM muestra mejoras de aproximadamente un 15% gracias a la optimización de la capacidad de procesamiento sin necesidad de recurrir a costosas técnicas de doble exposición.

Además, el uso de dieléctricos K ultrabajo porosos para reducir la capacidad de interconexión y el retardo de cableado es un paso clave a la hora de mejorar aún más el rendimiento de los microprocesadores reduciendo la disipación de potencia. Esta ventaja se ha obtenido gracias al desarrollo de un sistema de integración de procesamiento de dieléctricos K ultrabajos único en el sector que reduce la constante dieléctrica del dieléctrico de interconexión conservando la resistencia mecánica. La utilización del dieléctrico K ultrabajo de interconexión supone una reducción del 15 por ciento en el retardo de cableado en comparación con los dieléctricos convencionales K bajo.

La mejora constante de las técnicas de resistencia de transistores de AMD e IBM ha permitido mejorar de forma continuada el rendimiento de los transistores a la vez que se ha superado la problemática sectorial y de índole geométrica derivada de la migración a las tecnologías de procesamiento de 45nm. A pesar de la mayor densidad de registro de la generación de transistores de 45nm, IBM y AMD han logrado un incremento del 80 por ciento en corriente de conducción por transistor en canal p y un aumento del 24 por ciento en corriente de conducción por transistor en canal n en comparación con los transistores sin resistencia. Este logro se traduce en el mayor rendimiento CMOS registrado hasta la fecha en cualquier tecnología de procesamiento de 45nm.

IBM y AMD colaboran en el desarrollo de tecnologías de fabricación de semiconductores de próxima generación desde enero de 2003. En noviembre de 2005, las dos empresas anunciaron la ampliación de sus trabajos conjuntos de desarrollo hasta el 2011 con el objeto de abarcar las generaciones de tecnologías de procesamiento de 32nm y 22nm.