Un grupo de investigadores pertenecientes a la compañía IBM en colaboración con equipos de Global Foundries y Samsung, han desarrollado un nuevo proceso de fabricación industrial que permitirá la fabricación de transistores y chips a una escala clave de 5 nanómetros, en unos años. Actualmente las escalas más avanzadas se encuentran entre los 7 y los 10 nanómetros.
Posiblemente, esto suponga una considerable avance en la confirmación de la ley de Moore, propuesta por el ingeniero que fundó en 1965 la compañía Intel. En esos momentos, el ingeniero afirmaba que la capacidad de procesamiento de los chips se multiplicaría al tiempo que su tamaño se iría reduciendo cada cierto tiempo.
Para conseguir este hito, la compañía IBM ha utilizado nanoláminas de silicio, que sustituyen a la tecnología FinFET (tridimensional) utilizada comúnmente en los chips de 7 y 10 nm. Posteriormente se usa un proceso de grabación mediante litografía denominado "ultravioleta extrema", que dibuja todos los transistores del chip sin la necesidad de necesitar tanto espacio de separación entre ellos. Esto permite poder empaquetar hasta 30.000 millones de transistores en un solo chip del tamaño de una uña. Si lo comparamos con los 20.000 millones que se utilizan con la tecnología de 7nm, el resultado es considerablemente satisfactorio.
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