1ra parte - interfaces de temporizacion a/sincrona
Publicado por marado (5 intervenciones) el 07/03/2003 15:12:44
Buenas, antes que nada mis agradecimientos a aquellos que se tomen la molestia de leerme y sobre todo a los que inviertan su tiempo en contestarme (espero no aburrirlos ni ser muy denso).
Hace rato que vengo leyendo sobre las diferentes tecnologías de memorias, sus características tanto físicas como lógicas y sus interfaces con la CPU (entre otras cosas); pero me ha quedado una duda puntual con respecto a la DRAM sincrónica que es la sgte:
se sabe que la memoria SDRAM trabaja en sincronia con el FSB (ya que puede mantenerle el paso) y que posee algunas características que la hace mejor que las memorias anteriores (como la DRAM, FPM, EDO,..)
como ser el interleaving, el burstmode, etc... ; pero la velocidad interna de la memoria medida en ciclos (o lo que es lo mismo el ciclo de acceso) sigue siendo lo mismo (almenos para el primer acceso)
-a excepcion de que ahora tienen una frecuencia superior equivalente a la del FSB-; osea: el RTCD RAS-to-CAS delay sigue estando entre 2 o 3 ciclos, al igual que el CL, y el ciclo de escritura del valor de memoria en el buffer de salida sigue siendo uno y los ciclos para llevar y traer el dato desde el modulo de memoria hasta el controlador de la misma hasta la CPU (un ciclo cada paso) sigue estando igual... bueno me estoy llendo por las ramas... lo que me inquieta saber es lo sgte:
Hace rato que vengo leyendo sobre las diferentes tecnologías de memorias, sus características tanto físicas como lógicas y sus interfaces con la CPU (entre otras cosas); pero me ha quedado una duda puntual con respecto a la DRAM sincrónica que es la sgte:
se sabe que la memoria SDRAM trabaja en sincronia con el FSB (ya que puede mantenerle el paso) y que posee algunas características que la hace mejor que las memorias anteriores (como la DRAM, FPM, EDO,..)
como ser el interleaving, el burstmode, etc... ; pero la velocidad interna de la memoria medida en ciclos (o lo que es lo mismo el ciclo de acceso) sigue siendo lo mismo (almenos para el primer acceso)
-a excepcion de que ahora tienen una frecuencia superior equivalente a la del FSB-; osea: el RTCD RAS-to-CAS delay sigue estando entre 2 o 3 ciclos, al igual que el CL, y el ciclo de escritura del valor de memoria en el buffer de salida sigue siendo uno y los ciclos para llevar y traer el dato desde el modulo de memoria hasta el controlador de la misma hasta la CPU (un ciclo cada paso) sigue estando igual... bueno me estoy llendo por las ramas... lo que me inquieta saber es lo sgte:
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