PDF de programación - De la arena al silicio "La fabricación de un chip" Historia ilustrada

De la arena al silicio
“La fabricación de un chip”
Historia ilustrada

Septiembre de 2009

Copyright © 2009, Intel Corporation. Todos los derechos reservados.
Intel, el logo de Intel e Intel Core son marcas de comercio de Intel Corporation en los EE.UU. y en otros países.

1

Arena / Lingote

Arena
Con cerca de un 25% (masa), el silicio es,
después del oxígeno, el segundo elemento
químico más frecuente en la corteza
terrestre. La arena, especialmente el
cuarzo, tiene altos porcentajes de silicio en
forma de dióxido de silicio (SiO2) y es el
ingrediente básico para la fabricación de
semiconductores.

Silicio derretido
Escala: nivel de oblea (~300 mm).
El silicio se purifica en múltiples etapas para
finalmente alcanzar la calidad de fabricación
de semiconductor conocida como Silicio de
Calidad Electrónica. El Silicio de Calidad
Electrónica sólo puede tener un átomo
extraño para cada mil millones de átomos
de silicio. En esta imagen se puede ver
cómo se produce un gran cristal a partir del
derretimiento del silicio purificado. El
monocristal resultante se conoce como
lingote.

Lingote de Silicio Monocristal
Escala: nivel de oblea (~300 mm).
Se produjo un lingote a partir del
Silicio de Calidad Electrónica. Un
lingote pesa cerca de 100 kilos y tiene
una pureza de silicio del 99,9999%

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Lingote / Oblea

Corte del lingote –
Escala: nivel de oblea (~300 mm).
Se corta el lingote en discos de silicio
individuales llamados obleas (wafers).

Oblea –
Escala: nivel de oblea (~300 mm).
Se pulen las obleas hasta eliminar todos
sus defectos. La superficie queda lisa
como la de un espejo. Intel compra de
otras empresas esas obleas ya listas para
la fabricación. El proceso altamente
avanzado de High-K/Metal gate de 45 nm
de Intel usa obleas con un diámetro de 300
milímetros. Cuando Intel comenzó a
fabricar chips, la empresa imprimía
circuitos en obleas de 50 mm. Ahora la
empresa usa obleas de 300 mm, lo que
resulta en un menor costo por chip.

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Fotolitografía

Aplicación de la capa
fotoresistente –
Escala: nivel de oblea (~300
mm).
El líquido (aquí, de color azul)
que se derrama en la oblea
mientras ésta gira es un
acabado fotoresistente similar
al usado para la fotografía de
películas. La oblea gira
durante esta etapa para
permitir una aplicación muy
fina y homogénea de la capa
fotorresistente.

Exposición –
Escala: nivel de oblea (~300 mm).
El acabado fotoresistente se expone a la luz ultravioleta
(UV). La reacción química activada por esta etapa del
proceso es semejante a lo que le ocurre a la película de
una cámara en el momento en que se presiona el botón
del obturador. El acabado fotoresistente expuesto a la
luz UV se volverá soluble. La exposición se realiza
usando fotomáscaras, que actúan como plantillas en
esa etapa del proceso. Cuando se usan con una luz
UV, las fotomáscaras crean varios patrones de circuito
en cada capa del microprocesador. Un lente (el del
medio) reduce la imagen de la fotomáscara. Por lo
tanto, lo que se imprime en la oblea suele ser cuatro
veces menor linealmente que el patrón de la
fotomáscara.

Exposición –
Escala: nivel de transistor (~50-200 nm)
Aunque generalmente se construyan
centenas de microprocesadores en una
única oblea, de ahora en adelante esta
historia ilustrada se concentrará apenas en
una pequeña pieza de un microprocesador:
en un transistor o partes de un transistor.
Un transistor actúa como un conmutador,
que controla el flujo de corriente eléctrica en
un chip de computadora. Los investigadores
de Intel desarrollaron transistores tan
pequeños que sería posible poner cerca de
30 millones de ellos en la cabeza de un
alfiler.

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Ataque Químico

Lavado de la capa fotoresistente –
Escala: nivel de transistor (~50-200
nm)
Se disuelve completamente la capa
fotoresistente por medio de un
disolvente. Esto revela un patrón de
la capa fotoresistente trazado por la
fotomáscara.

Ataque químico –
Escala: nivel de transistor (~50-200 nm)
La capa fotoresistente está protegiendo
el material que no debe ser atacado. El
material revelado se atacará con
productos químicos.

Eliminación de la capa fotoresistente
–
Escala: nivel de transistor (~50-200nm)
Tras el ataque químico, la capa
fotoresistente se elimina, lo que deja
visible la forma deseada.

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5

Implantación de Iones

Aplicación de la capa fotoresistente
–
Escala: nivel de transistor (~50-200
nm).
Se aplica y se expone la capa
fotoresistente (de color azul) y la capa
fotoresistente expuesta se lava antes
de la próxima etapa. La capa
fotoresistente protegerá el material
que no debe recibir la implantación de
iones.

Implantación de iones –
Escala: nivel de transistor (~50-200 nm)
Por medio de un proceso llamado implantación de
iones (una forma de un proceso llamado dopado),
las áreas expuestas de la oblea de silicio se
bombardean con varias impurezas químicas,
llamadas iones. Los iones se implantan en la
oblea de silicio para alterar el modo como el silicio
conduce la electricidad en esas áreas. Los iones
se disparan sobre la superficie de la oblea a una
velocidad muy alta. Un campo eléctrico acelera
los iones a una velocidad de más de 300.000 km/
hn

Eliminación de la capa
fotoresistente – Escala: nivel de
transistor (~50-200 nm)
Tras la implantación de iones, la capa
fotoresistente se eliminará y el
material dopado (de color verde)
ahora tiene átomos externos
implantados (nótense las pequeñas
variaciones de color).

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Deposición de Metal

Transistor listo –
Escala: nivel de transistor (~50-200
nm).
Este transistor está casi listo. Se
realizaron tres perforaciones en la
capa de aislamiento (de color
magenta) en la parte superior del
transistor. Estas tres perforaciones se
rellenarán con cobre, que hará las
conexiones con otros transistores.

Galvanización –
Escala: nivel de transistor (~50-200 nm).
En esta etapa, la oblea se coloca en una
solución de sulfato de cobre. Los iones
de cobre se depositan en el transistor
por medio de un proceso llamado
galvanización. Los iones de cobre viajan
desde el polo positivo (ánodo) al polo
negativo (cátodo), que está
representado por la oblea.

Después de la Galvanización –
Escala: nivel de transistor (~50-200
nm).
En la superficie de la oblea, los iones
de cobre se depositan como una
delgada capa de cobre.

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7

Capas de Metal

Pulido –
Escala: nivel de transistor (~50-200
nm).
Se pule el exceso de material.

Capas de metal – Escala: nivel de transistor (seis transistores combinados ~500 nm).
Se crean múltiples capas de metal para la interconexión (como cables) entre los varios
transistores. Los equipos de arquitectura y proyecto que desarrollan la funcionalidad
de los respectivos procesadores determinan cómo esas conexiones necesitan
“cablearse” (p.ej.: procesador Intel® Core™ i). Aunque los chips de las computadoras
parezcan extremadamente planos, pueden tener, en realidad, más de 20 capas para
formar un circuito complejo. Si observa la imagen ampliada de un chip, verá una red
intrincada de líneas de circuitos y transistores que parecen un sistema futurista de
carreteras en múltiples capas.

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Prueba de Clasificación de Oblea / Corte

Prueba de una fracción de la oblea
–
Escala: nivel de pastilla (~10mm).
Esta fracción de una oblea lista está
pasando por una primera prueba de
funcionalidad. En esta etapa, los
patrones de prueba se colocan en
cada chip individualmente; luego se
monitoriza la respuesta del chip y se
compara con la “respuesta correcta”.

Corte de la oblea –
Escala: nivel de oblea (~300 mm).
Se corta la oblea en pedazos, llamados
pastillas (diez).

Descartado de las pastillas con
fallos –
Escala: nivel de oblea (~300 mm)
Las pastillas que presenten una
respuesta correcta al patrón de
prueba pasarán a la próxima etapa
(empaquetado).

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9

Empaquetado

Pastilla individual –
Escala: nivel de pastilla (~10 mm).
Ésta es una pastilla individual que se
cortó en la etapa anterior (corte). La
pastilla mostrada corresponde al
procesador Intel® Core™ i7.

Empaquetado –
Escala: nivel de empaquetado (~20 mm).
El sustrato, la pastilla y el disipador de calor
se colocan juntos para formar un procesador
completo. El sustrato verde forma la
interfase eléctrica y mecánica para que el
procesador interactúe con el resto del