Definición de Memorias

DRAM (dynamic random access memory): los chips de DRAM están diseñados como una matriz de celdas de memoria dispuestas en filas y colum-nas. Cada celda de memoria usada para almacenar bits de información que puede ser extraída al indicar de su fila y su columna (dirección).

FPM (fast page mode) DRAM: este tipo de chip de memoria es una mejora con respecto a la anterior tecnología DRAM, porque se accede más rápidamente a la información que se encuentra en la misma fila de la dirección que se accedió previamente. De esta forma, el controlador no pierde tiempo ubicando la fila, sólo debe ubicar la columna correspondiente. Esta tecnología va camino a la obsolescencia, viéndose reemplazada por la DRAM sincrónica, o SDRAM.

EDO (extended data out) DRAM: es similar al FPM con una leve modi-ficación: no solamente retiene la fila de ubicación del último dato solicitado, sino también la columna. La ventaja principal de EDO es que mantiene la in-formación extraída disponible por más tiemp, acortando la secuencia de lec-tura de la memoria. Su desempeño es entre un 10 y 20 por ciento más rápido que la FPM. Esta tecnología estará terminando su ciclo de producción a fines del año 2000.

SDRAM o DRAM sincrónica (synchronous DRAM): es el cambio más radical y reciente de tecnologías de memorias, porque la extracción de infor-mación es sincronizada con el reloj de la placa madre que controla la CPU. Al estar sincronizada con el procesador, se eliminan tiempo de espera, y esto hace que el proceso de extracción de información de la memoria sea más eficiente. En 1998, SDRAM se convirtió en el estándar de la mayoría de las PCs, note-books y servidores del mercado. El SDRAM está disponible en velocidades de 66 Mhz, 100 Mhz y 133 Mhz. A esta última se la conoce como HSDRAM (high-Speed synchronous DRAM).

SDRAM II o DDR (double date rate): es la próxima generación de SDRAM. Se basa en el mismo principio de la SDRAM, pero duplica su velo-cidad de lectura de información.

RDRAM (Rambus Dynamic Random Acces Memory): es usada en la industria del entretenimiento, estaciones gráfica y gráfico de video. Rambus usa la tecnología RSL (Rambus Signal Level), que permite un promedio de trasferencia de 600 Mhz. En la actualidad hay dos generaciones de Rambus: base y concurrente.

DIRECT RAMBUS: es la tercera generación de Rambus. Sus módulos se denominan RIMM y SO-RIMM. Direct RDRAM utiliza también el RSL, pero tiene una frecuencia mas alta (800 Mhz) y mejora su eficiencia en un 90 por ciento. Un solo canal de DIRECT RDRAM puede transmitir un ancho de banda de 1.6 Gb por segundo. El RIMM tiene 184 pines y chips de 2,5 vol-tios. Las Motherboard puede soportar hasta 3 sockets RIMM, con un máximo de 32 chips de DIRECT RDRAM por canal. DIRECT RAMBUS requiere que todos sus sockets estén completos para permitir el traspaso de la señal.